單晶和多晶硅片壽命測量設(shè)備用于復(fù)雜的材料研究和開發(fā)。         

特點：        

◇  靈敏度：高的靈敏度，用于可視化迄今為止不可見的缺陷和調(diào)查外延層的情況        

◇  測量速度：6英寸硅片<5min，分辨率為1mm        

◇  壽命范圍：20ns到幾十ms        

◇  污染測定：源于坩堝和設(shè)備的金屬（鐵）污染        

◇  測量能力：從切割好的硅片到加工的樣品        

◇  靈活性：固定的測量頭可以與外部激光器連接并觸發(fā)        

◇  可靠性：模塊化和緊湊型臺式儀器，可靠性更高，正常運行時間>99%        

◇  重復(fù)性：> 99%        

◇  電阻率：電阻率測繪，無需頻繁校準(zhǔn)        

       
技術(shù)規(guī)格:         

MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀 - 細節(jié)：       

◇  MDPmap被設(shè)計成一個緊湊的臺式非接觸電學(xué)表征工具，用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)，在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵（μ-PCD）下，在一個寬的注入范圍內(nèi)測量參數(shù)，如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品，包括外延層和經(jīng)過不同制備階段的晶圓，從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。        

◇  MDPmap的主要優(yōu)點是它的高度靈活性，例如，它允許集成多達四個激光器，用于測量從較低到高的注入水平的壽命，或通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設(shè)施，以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選項。可以用不同的地圖進行客戶定義的計算，也可以輸出主要數(shù)據(jù)進行進一步評估。對于標(biāo)準(zhǔn)的計量任務(wù)，預(yù)定義的標(biāo)準(zhǔn)只需按下一個按鈕就能進行常規(guī)測量。            

 附加選項：        

◇  光斑大小的變化       

◇  電阻率測量（晶圓）        

◇  方塊電阻        

◇  背景/偏光        

◇  反射測量（MDP）        

◇  太陽能電池的LBIC（擴散長度測量）        

◇  偏壓MDP        

◇  參考晶圓        

◇  硅的內(nèi)部/外部鐵制圖        

◇  集成加熱臺        

◇  靈活的激光器配置 

MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀 - 測量案例：

MDPmap 應(yīng)用：

鐵濃度測定        

鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的        

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摻雜樣品的光電導(dǎo)率測量        

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用，但到目前為止，沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……        

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陷阱濃度測定        

陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對太陽能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。        

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注入相關(guān)測量        

少數(shù)載流子壽命強烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息。        

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