技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES聚焦離子束（FocusedIonbeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)是利用靜電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割技術(shù)。離子束轟擊樣品時(shí)，其動(dòng)能會(huì)傳遞給樣品中的原子/分子，產(chǎn)生濺射效應(yīng)，從而達(dá)到不斷蝕刻，進(jìn)而切割樣品的效果。FIB對(duì)固體局部區(qū)域內(nèi)進(jìn)行高精度的切割和加工后，借助飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（Time-of-FlightSecondaryIonMassSpectrometry，簡(jiǎn)稱TOF-SIMS），就能實(shí)現(xiàn)對(duì)該區(qū)域的原位、高靈敏度的化學(xué)成分分析，從而獲取樣品“由表及里”的豐富...
鈣鈦礦材料因具備較長(zhǎng)的電子-空穴擴(kuò)散長(zhǎng)度、較大的光學(xué)吸收系數(shù)、較強(qiáng)的激子躍遷及可低溫制備等諸多優(yōu)點(diǎn),成為了光伏太陽(yáng)能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。以鈣鈦礦材料作為光活性層的太陽(yáng)能電池器件,由于其簡(jiǎn)單的加工工藝和出色的能量轉(zhuǎn)換效率，更是引起了普遍的研究興趣。自2009年報(bào)道以來(lái)，有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PerovskiteSolarCells，PSCs）的效率已超過(guò)25%，成為具有潛力的光伏器件之一。然而，PSCs在多種環(huán)境條件下服役的穩(wěn)定性仍未達(dá)到商業(yè)化使用標(biāo)準(zhǔn)，PSCs性能的提升及...
在材料科學(xué)和物理學(xué)領(lǐng)域，衍射技術(shù)是一種重要的分析工具，用于研究材料的晶體結(jié)構(gòu)、相組成和微觀應(yīng)力等關(guān)鍵性質(zhì)。衍射數(shù)據(jù)庫(kù)卡片，作為衍射實(shí)驗(yàn)的重要參考，扮演著至關(guān)重要的角色。這些卡片詳細(xì)記錄了各種已知物質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)衍射圖案，為科學(xué)家和工程師提供了識(shí)別和分析未知材料的依據(jù)。該卡片的起源可以追溯到20世紀(jì)初，當(dāng)時(shí)科學(xué)家們開(kāi)始利用X射線衍射分析晶體結(jié)構(gòu)。隨著研究的深入，人們發(fā)現(xiàn)有必要系統(tǒng)地收集和整理各種物質(zhì)的衍射數(shù)據(jù)，以便比對(duì)和參考。于是，衍射數(shù)據(jù)庫(kù)應(yīng)運(yùn)而生，成為科研工作者不可或缺的參考資料...
X射線三維成像系統(tǒng)是實(shí)驗(yàn)室中常用的設(shè)備，主要用于樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析。這種設(shè)備在使用過(guò)程中，需要注意養(yǎng)護(hù)，以保證其正常工作和使用壽命。以下是一些養(yǎng)護(hù)細(xì)節(jié)：1.清潔：X射線三維成像系統(tǒng)的外部和內(nèi)部都應(yīng)保持清潔。外部可以用軟布擦拭，內(nèi)部則需用專用的清潔劑和工具進(jìn)行清潔。特別注意不要讓灰塵和雜質(zhì)進(jìn)入設(shè)備內(nèi)部，否則可能會(huì)影響設(shè)備的性能。2.溫度和濕度：設(shè)備應(yīng)存放在溫度和濕度適宜的環(huán)境中。過(guò)高或過(guò)低的溫度都可能影響設(shè)備的正常工作，濕度過(guò)高可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)部的電路短路。3.電源：設(shè)備的電源...
衍射圖，討論二對(duì)于非缺面孿晶導(dǎo)致|Fo|不對(duì)的問(wèn)題，如果我們養(yǎng)成了良好的習(xí)慣：對(duì)于所有的晶體都應(yīng)在RLATT里檢查倒易點(diǎn)陣的排列，那么我們就會(huì)馬上去發(fā)現(xiàn)晶體的問(wèn)題。然而除了非缺面孿晶，晶體的問(wèn)題還包括很多，比如超晶格，調(diào)制結(jié)構(gòu)（周期或者非周期的衛(wèi)星衍射點(diǎn)），彌散的衍射信號(hào)等。但是單晶衍射數(shù)據(jù)處理的過(guò)程中，通常是基于定出的晶胞對(duì)有限的數(shù)據(jù)進(jìn)行還原，而不是所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，所以很多被排除在外的信號(hào)其實(shí)表示了晶體內(nèi)含的一些結(jié)構(gòu)性質(zhì)。而這些在hkl文件并不會(huì)體現(xiàn)出來(lái)。從某種意義上說(shuō)，單晶...
衍射圖，討論一關(guān)于很多同學(xué)眼中的“鬼峰”，我們看過(guò)了“答案”起源于基本的數(shù)據(jù)處理（數(shù)據(jù)還原和數(shù)據(jù)校正）對(duì)|Fo|的影響。很多時(shí)候在遇到偏大的Q峰的時(shí)候，不管是一些審稿人還是學(xué)生，都會(huì)馬上去想到“吸收校正”（不知道這個(gè)想法起源于何處），然后很多同學(xué)會(huì)莫名地把90%的原因歸結(jié)于此。甚至在沒(méi)有看過(guò)數(shù)據(jù)的情況下，立刻的回答就是去做吸收校正。然而對(duì)于常見(jiàn)的莫名其妙的鬼峰的原因，比如晶體和測(cè)試的問(wèn)題，卻常常被忽略。這里面的原因有很多，我相信大多數(shù)同學(xué)拿到手的數(shù)據(jù)都只是hkl，而不是衍射圖...
引言寬帶隙鈣鈦礦（1.68eV）是兩端鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)電池的重要前電池吸光材料。然而，這類寬帶隙鈣鈦礦太陽(yáng)電池中存在大量缺陷誘導(dǎo)的非輻射電荷復(fù)合，導(dǎo)致器件開(kāi)路電壓（VOC）遠(yuǎn)低于理論值，嚴(yán)重限制了器件效率的進(jìn)一步提升。深能級(jí)受體缺陷是影響VOC的主要因素，缺陷鈍化是提供器件效率的有效策略。TOF-SIMS應(yīng)用成果近日，陜西師范大學(xué)方志敏&馮江山&劉生忠團(tuán)隊(duì)通過(guò)采用氟化物輔助表面梯度鈍化的策略獲得了光電轉(zhuǎn)換效率（PCE）高達(dá)21.63%，VOC達(dá)1.239V（VOC損失低至4...
回顧2022年，ULVAC-PHI各個(gè)系列的XPS儀器——VersaProbe、Quantera和Quantes對(duì)科研發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步做出了重要貢獻(xiàn)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，借助PHIXPS設(shè)備，2022年已發(fā)表超過(guò)4400篇的學(xué)術(shù)出版物，包括期刊文章和書(shū)籍等。其中，有99項(xiàng)工作發(fā)表在《Nature》和《Science》等高影響力期刊上。例如，我們的用戶利用PHIVersaProbe設(shè)備對(duì)嵌入磁性CoNi合金顆粒的摻氮碳纖維復(fù)合材料表面進(jìn)行了表征，研究發(fā)現(xiàn)該材料表現(xiàn)出優(yōu)異的電磁波吸收性能。該項(xiàng)...
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